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HXY MOSFET HC1D02065E
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HC1D02065E |
| EBEE部品番号 | E841428787 |
| パッケージ | TO-252-2L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-252-2L SiC Diodes ROHS |
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191 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6015 | $ 0.6015 |
| 10+ | $0.4842 | $ 4.8420 |
| 30+ | $0.4262 | $ 12.7860 |
| 100+ | $0.3682 | $ 36.8200 |
| 500+ | $0.3331 | $ 166.5500 |
| 1000+ | $0.3156 | $ 315.6000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| データシート | HXY MOSFET HC1D02065E | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 10uA@650V | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@2A | |
| Current - Rectified | 7.5A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 18A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
ショッピングガイド
展開
191 Stock for Shipping Fast
191 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6015 | $ 0.6015 |
| 10+ | $0.4842 | $ 4.8420 |
| 30+ | $0.4262 | $ 12.7860 |
| 100+ | $0.3682 | $ 36.8200 |
| 500+ | $0.3331 | $ 166.5500 |
| 1000+ | $0.3156 | $ 315.6000 |
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