| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HSBG2103 |
| EBEE部品番号 | E8845598 |
| パッケージ | DFN1006-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 20V 650mA 520mΩ@4.5V,650mA 150mW 1V@250uA 1 Piece P-Channel DFN1006-3 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0465 | $ 0.4650 |
| 100+ | $0.0380 | $ 3.8000 |
| 300+ | $0.0336 | $ 10.0800 |
| 1000+ | $0.0304 | $ 30.4000 |
| 5000+ | $0.0245 | $ 122.5000 |
| 10000+ | $0.0231 | $ 231.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | HUASHUO HSBG2103 | |
| RoHS | ||
| タイプ | 1 Piece P-Channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 20V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 650mA | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 520mΩ@4.5V,650mA | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 150mW | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0465 | $ 0.4650 |
| 100+ | $0.0380 | $ 3.8000 |
| 300+ | $0.0336 | $ 10.0800 |
| 1000+ | $0.0304 | $ 30.4000 |
| 5000+ | $0.0245 | $ 122.5000 |
| 10000+ | $0.0231 | $ 231.0000 |
