| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HSBB6066 |
| EBEE部品番号 | E82828498 |
| パッケージ | DFN-8(3x3) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | None |
| 説明 | 60V 60A 4.4mΩ@10A 45W 1.2V@250uA 1 N-channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4204 | $ 0.4204 |
| 10+ | $0.3317 | $ 3.3170 |
| 30+ | $0.2945 | $ 8.8350 |
| 100+ | $0.2466 | $ 24.6600 |
| 500+ | $0.2200 | $ 110.0000 |
| 1000+ | $0.2076 | $ 207.6000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | HUASHUO HSBB6066 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 60V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 60A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 4.4mΩ@10A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 45W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 25pF@30V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 1670pF@30V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | [email protected] |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4204 | $ 0.4204 |
| 10+ | $0.3317 | $ 3.3170 |
| 30+ | $0.2945 | $ 8.8350 |
| 100+ | $0.2466 | $ 24.6600 |
| 500+ | $0.2200 | $ 110.0000 |
| 1000+ | $0.2076 | $ 207.6000 |
