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HTCSEMI HT100NF80ASZ
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HT100NF80ASZ |
| EBEE部品番号 | E82874956 |
| パッケージ | TO-263 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 80V 100A 8mΩ@10V,37.5A 173W 4V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7646 | $ 0.7646 |
| 10+ | $0.6353 | $ 6.3530 |
| 30+ | $0.5691 | $ 17.0730 |
| 100+ | $0.5045 | $ 50.4500 |
| 500+ | $0.4099 | $ 204.9500 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | HTCSEMI HT100NF80ASZ | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 8mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 275pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 173W | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.38nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.22nF | |
| Gate Charge(Qg) | 105nC@10V |
ショッピングガイド
展開
593 Stock for Shipping Fast
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7646 | $ 0.7646 |
| 10+ | $0.6353 | $ 6.3530 |
| 30+ | $0.5691 | $ 17.0730 |
| 100+ | $0.5045 | $ 50.4500 |
| 500+ | $0.4099 | $ 204.9500 |
| 1000+ | $0.3894 | $ 389.4000 |
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