| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HB3510P |
| EBEE部品番号 | E8271448 |
| パッケージ | TO-263 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 100V 50A 110W 38mΩ@10V,15A 4V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3503 | $ 1.7515 |
| 50+ | $0.2763 | $ 13.8150 |
| 150+ | $0.2476 | $ 37.1400 |
| 500+ | $0.2117 | $ 105.8500 |
| 2500+ | $0.1957 | $ 489.2500 |
| 5000+ | $0.1861 | $ 930.5000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | HL(Haolin Elec) HB3510P | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 100V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 50A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 38mΩ@10V,15A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 110W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 275pF@25V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 1489pF | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 60nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3503 | $ 1.7515 |
| 50+ | $0.2763 | $ 13.8150 |
| 150+ | $0.2476 | $ 37.1400 |
| 500+ | $0.2117 | $ 105.8500 |
| 2500+ | $0.1957 | $ 489.2500 |
| 5000+ | $0.1861 | $ 930.5000 |
