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HGSEMI HG4953M/TR
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HG4953M/TR |
| EBEE部品番号 | E82926380 |
| パッケージ | SOP-8 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 30V 4.9A 53mΩ@10V,4.9A 800mW 1.5V@250uA 2 P-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0930 | $ 0.4650 |
| 50+ | $0.0910 | $ 4.5500 |
| 150+ | $0.0897 | $ 13.4550 |
| 500+ | $0.0883 | $ 44.1500 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| データシート | HGSEMI HG4953M/TR | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Type | 2 P-Channel | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.9A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 53mΩ@10V,4.9A | |
| Power Dissipation (Pd) | 800mW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 60pF@15V | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 625pF@0V | |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 16nC@10V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0930 | $ 0.4650 |
| 50+ | $0.0910 | $ 4.5500 |
| 150+ | $0.0897 | $ 13.4550 |
| 500+ | $0.0883 | $ 44.1500 |
