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HARRIS IRFD121
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IRFD121 |
| EBEE部品番号 | E83288358 |
| パッケージ | DIP-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 80V 1.3A 300mΩ@10V,600mA 1W 4V@250uA 1 N-channel DIP-4 MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5342 | $ 0.5342 |
| 200+ | $0.2077 | $ 41.5400 |
| 500+ | $0.2006 | $ 100.3000 |
| 1000+ | $0.1970 | $ 197.0000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | HARRIS IRFD121 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 80V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 1.3A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 300mΩ@10V,600mA | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 1W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 450pF@25V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 15nC@10V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5342 | $ 0.5342 |
| 200+ | $0.2077 | $ 41.5400 |
| 500+ | $0.2006 | $ 100.3000 |
| 1000+ | $0.1970 | $ 197.0000 |
