Recommonended For You
画像は参考のみです
お気に入りに追加
HARRIS HGTH12N50C1D
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HGTH12N50C1D |
| EBEE部品番号 | E817621790 |
| パッケージ | TO-218 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 75W 12A 500V TO-218 IGBT Transistors / Modules ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
もっと見る >>在庫あり : お問い合わせください
RFQを送信してください。すぐに対応します。
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $7.5755 | $ 7.5755 |
| 242+ | $3.0239 | $ 731.7838 |
| 484+ | $2.9230 | $ 1414.7320 |
| 968+ | $2.8724 | $ 2780.4832 |
おすすめ
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| データシート | HARRIS HGTH12N50C1D | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | - | |
| Collector Current (Ic) | 12A | |
| Power Dissipation (Pd) | 75W | |
| Turn?off Delay Time (Td(off)) | - | |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | - | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 500V | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 3.2V@20V,17.5A | |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 19nC | |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 100ns | |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | - | |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | - |
ショッピングガイド
展開
在庫あり : お問い合わせください
RFQを送信してください。すぐに対応します。
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $7.5755 | $ 7.5755 |
| 242+ | $3.0239 | $ 731.7838 |
| 484+ | $2.9230 | $ 1414.7320 |
| 968+ | $2.8724 | $ 2780.4832 |
