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HARRIS HGTG12N60C3DR
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HGTG12N60C3DR |
| EBEE部品番号 | E83193589 |
| パッケージ | TO-247 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 104W 24A 600V TO-247 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0397 | $ 3.0397 |
| 200+ | $1.1765 | $ 235.3000 |
| 500+ | $1.1357 | $ 567.8500 |
| 1000+ | $1.1144 | $ 1114.4000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| データシート | HARRIS HGTG12N60C3DR | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | - | |
| Collector Current (Ic) | 24A | |
| Power Dissipation (Pd) | 104W | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V | |
| Input Capacitance (Cies@Vce) | - | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | - | |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 37ns | |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 0.34mJ | |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 0.4mJ |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0397 | $ 3.0397 |
| 200+ | $1.1765 | $ 235.3000 |
| 500+ | $1.1357 | $ 567.8500 |
| 1000+ | $1.1144 | $ 1114.4000 |
