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Hangzhou Silan Microelectronics SVS20N60FJD2
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SVS20N60FJD2 |
| EBEE部品番号 | E82761792 |
| パッケージ | TO-220F-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 600V 20A 0.16Ω@10V,10A 45W 2V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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1015 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0624 | $ 1.0624 |
| 10+ | $0.8861 | $ 8.8610 |
| 50+ | $0.7495 | $ 37.4750 |
| 100+ | $0.6400 | $ 64.0000 |
| 500+ | $0.5908 | $ 295.4000 |
| 1000+ | $0.5685 | $ 568.5000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Hangzhou Silan Microelectronics SVS20N60FJD2 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 190mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 45W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.174nF | |
| Gate Charge(Qg) | 39nC@10V |
ショッピングガイド
展開
1015 Stock for Shipping Fast
1015 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0624 | $ 1.0624 |
| 10+ | $0.8861 | $ 8.8610 |
| 50+ | $0.7495 | $ 37.4750 |
| 100+ | $0.6400 | $ 64.0000 |
| 500+ | $0.5908 | $ 295.4000 |
| 1000+ | $0.5685 | $ 568.5000 |
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