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Hangzhou Silan Microelectronics SVF7N65CMJ


メーカー
メーカー部品番号
SVF7N65CMJ
EBEE部品番号
E8403825
パッケージ
TO-251-3
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
-
説明
650V 7A 90W 1.1Ω@10V,3.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-251-3 MOSFETs ROHS
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1715 在庫あり 即時出荷可能
1715 即時出荷可能
1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
5+$0.3775$ 1.8875
50+$0.2972$ 14.8600
150+$0.2619$ 39.2850
525+$0.2185$ 114.7125
2475+$0.1992$ 493.0200
4500+$0.1880$ 846.0000
数量が多い場合の最良価格?
$
タイプ説明
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カテゴリトランジスタ/スズリ ,MOSFET
データシートHangzhou Silan Microelectronics SVF7N65CMJ
RoHS
タイプN-Channel
RDS(オン)1.1Ω@10V
動作温度 --55℃~+150℃
逆移動容量(Crss@Vds)9pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation90W
Drain to Source Voltage650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)7A
Ciss-Input Capacitance789pF
Output Capacitance(Coss)98pF
Gate Charge(Qg)21nC@10V

ショッピングガイド

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