| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SVF7N65CMJ |
| EBEE部品番号 | E8403825 |
| パッケージ | TO-251-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 650V 7A 90W 1.1Ω@10V,3.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-251-3 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3775 | $ 1.8875 |
| 50+ | $0.2972 | $ 14.8600 |
| 150+ | $0.2619 | $ 39.2850 |
| 525+ | $0.2185 | $ 114.7125 |
| 2475+ | $0.1992 | $ 493.0200 |
| 4500+ | $0.1880 | $ 846.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Hangzhou Silan Microelectronics SVF7N65CMJ | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 1.1Ω@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 9pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 90W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 789pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 98pF | |
| Gate Charge(Qg) | 21nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3775 | $ 1.8875 |
| 50+ | $0.2972 | $ 14.8600 |
| 150+ | $0.2619 | $ 39.2850 |
| 525+ | $0.2185 | $ 114.7125 |
| 2475+ | $0.1992 | $ 493.0200 |
| 4500+ | $0.1880 | $ 846.0000 |
