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Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N65DTR
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SVF4N65DTR |
| EBEE部品番号 | E882831 |
| パッケージ | TO-252-2(DPAK) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 650V 4A 2.7Ω@10V,2A 77W 4V@250uA 1 N-Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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805 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2247 | $ 1.1235 |
| 50+ | $0.1783 | $ 8.9150 |
| 150+ | $0.1584 | $ 23.7600 |
| 500+ | $0.1336 | $ 66.8000 |
| 2500+ | $0.1225 | $ 306.2500 |
| 5000+ | $0.1158 | $ 579.0000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N65DTR | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 2.7Ω@10V | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 5.8pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 77W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 533pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.8nC@10V |
ショッピングガイド
展開
805 Stock for Shipping Fast
805 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2247 | $ 1.1235 |
| 50+ | $0.1783 | $ 8.9150 |
| 150+ | $0.1584 | $ 23.7600 |
| 500+ | $0.1336 | $ 66.8000 |
| 2500+ | $0.1225 | $ 306.2500 |
| 5000+ | $0.1158 | $ 579.0000 |
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