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Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N60F
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SVF4N60F |
| EBEE部品番号 | E828532 |
| パッケージ | TO-220F-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 600V 4A 33W 2Ω@10V,2A 2V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2428 | $ 1.2140 |
| 50+ | $0.1892 | $ 9.4600 |
| 150+ | $0.1662 | $ 24.9300 |
| 500+ | $0.1375 | $ 68.7500 |
| 2000+ | $0.1247 | $ 249.4000 |
| 5000+ | $0.1171 | $ 585.5000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N60F | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 2Ω@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 4.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 33W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 433pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 55pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@10V |
ショッピングガイド
展開
80 Stock for Shipping Fast
80 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2428 | $ 1.2140 |
| 50+ | $0.1892 | $ 9.4600 |
| 150+ | $0.1662 | $ 24.9300 |
| 500+ | $0.1375 | $ 68.7500 |
| 2000+ | $0.1247 | $ 249.4000 |
| 5000+ | $0.1171 | $ 585.5000 |
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