| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SVF4N60CAD |
| EBEE部品番号 | E8467746 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | None |
| 説明 | TO-252 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3132 | $ 1.5660 |
| 50+ | $0.2481 | $ 12.4050 |
| 150+ | $0.2202 | $ 33.0300 |
| 500+ | $0.1854 | $ 92.7000 |
| 2500+ | $0.1699 | $ 424.7500 |
| 5000+ | $0.1606 | $ 803.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N60CAD | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 2Ω@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 4.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 77W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 433pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 55pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3132 | $ 1.5660 |
| 50+ | $0.2481 | $ 12.4050 |
| 150+ | $0.2202 | $ 33.0300 |
| 500+ | $0.1854 | $ 92.7000 |
| 2500+ | $0.1699 | $ 424.7500 |
| 5000+ | $0.1606 | $ 803.0000 |
