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Hangzhou Silan Microelectronics SVF2N60RDTR
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SVF2N60RDTR |
| EBEE部品番号 | E8601638 |
| パッケージ | TO-252-2 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 600V 2A 3.7Ω@10V,1A 34W 2V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1858 | $ 0.9290 |
| 50+ | $0.1459 | $ 7.2950 |
| 150+ | $0.1288 | $ 19.3200 |
| 500+ | $0.1075 | $ 53.7500 |
| 2500+ | $0.0980 | $ 245.0000 |
| 5000+ | $0.0923 | $ 461.5000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Hangzhou Silan Microelectronics SVF2N60RDTR | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 3.7Ω@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 2.7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 250pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.92nC@10V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1858 | $ 0.9290 |
| 50+ | $0.1459 | $ 7.2950 |
| 150+ | $0.1288 | $ 19.3200 |
| 500+ | $0.1075 | $ 53.7500 |
| 2500+ | $0.0980 | $ 245.0000 |
| 5000+ | $0.0923 | $ 461.5000 |
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