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Hangzhou Silan Microelectronics SVF12N65F
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SVF12N65F |
| EBEE部品番号 | E818781 |
| パッケージ | TO-220F |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 650V 12A 51W 680mΩ@10V,6A 4V@250uA 1 N-Channel TO-220F MOSFETs ROHS |
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1456 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5302 | $ 0.5302 |
| 10+ | $0.4257 | $ 4.2570 |
| 50+ | $0.3450 | $ 17.2500 |
| 100+ | $0.2896 | $ 28.9600 |
| 500+ | $0.2643 | $ 132.1500 |
| 1000+ | $0.2501 | $ 250.1000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Hangzhou Silan Microelectronics SVF12N65F | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 640mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 51W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.39nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 156pF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC@10V |
ショッピングガイド
展開
1456 Stock for Shipping Fast
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5302 | $ 0.5302 |
| 10+ | $0.4257 | $ 4.2570 |
| 50+ | $0.3450 | $ 17.2500 |
| 100+ | $0.2896 | $ 28.9600 |
| 500+ | $0.2643 | $ 132.1500 |
| 1000+ | $0.2501 | $ 250.1000 |
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