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Hangzhou Silan Microelectronics SGM40HF12A1TFD
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SGM40HF12A1TFD |
| EBEE部品番号 | E82761782 |
| パッケージ | - |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 40A 1.2kV IGBT module IGBT Transistors / Modules ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $11.8791 | $ 11.8791 |
| 10+ | $10.7892 | $ 107.8920 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,IGBTトランジスタ/モジュール | |
| データシート | Hangzhou Silan Microelectronics SGM40HF12A1TFD | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| コレクター-エミッター故障電圧(Vces) | 1.2kV | |
| ゲートエミッター スレホールド電圧(Vge(th)@Ic) | 5.5V@250uA | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| IGBT Type | IGBT Module | |
| Gate Charge(Qg) | 413nC@40A,±15V | |
| Td(off) | 611ns | |
| Td(on) | 425ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 117ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 2.2mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 9.3mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 6.58nF@25V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $11.8791 | $ 11.8791 |
| 10+ | $10.7892 | $ 107.8920 |
