Recommonended For You
- ホーム /
- 商品 /
- トランジスタ/スズリ /
- MOSFET /
- GOSEMICON GBS65060TOA
画像は参考のみです
お気に入りに追加
GOSEMICON GBS65060TOA
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | GBS65060TOA |
| EBEE部品番号 | E87426972 |
| パッケージ | TO-220 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 650V 23A 50mΩ@10V,16.4A 192W 4.6V@1mA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
もっと見る >>155 在庫あり 即時出荷可能
155 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4088 | $ 3.4088 |
| 10+ | $2.9139 | $ 29.1390 |
| 50+ | $2.6205 | $ 131.0250 |
| 100+ | $2.3239 | $ 232.3900 |
| 500+ | $2.1859 | $ 1092.9500 |
| 1000+ | $2.1240 | $ 2124.0000 |
数量が多い場合の最良価格？
$
おすすめ
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | GOSEMICON GBS65060TOA | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 55mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 329W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 70pF | |
| Gate Charge(Qg) | 90nC |
ショッピングガイド
展開
155 Stock for Shipping Fast
155 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4088 | $ 3.4088 |
| 10+ | $2.9139 | $ 29.1390 |
| 50+ | $2.6205 | $ 131.0250 |
| 100+ | $2.3239 | $ 232.3900 |
| 500+ | $2.1859 | $ 1092.9500 |
| 1000+ | $2.1240 | $ 2124.0000 |
数量が多い場合の最良価格？
$
