| メーカー | |
| メーカー部品番号 | GBS032R4PMAR |
| EBEE部品番号 | E828324646 |
| パッケージ | PDFN5x6-8L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | PDFN-8L(5x6) MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2475 | $ 0.2475 |
| 10+ | $0.2144 | $ 2.1440 |
| 30+ | $0.2002 | $ 6.0060 |
| 100+ | $0.1829 | $ 18.2900 |
| 500+ | $0.1750 | $ 87.5000 |
| 1000+ | $0.1703 | $ 170.3000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | GOSEMICON GBS032R4PMAR | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 2.5mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 100pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 180A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2475 | $ 0.2475 |
| 10+ | $0.2144 | $ 2.1440 |
| 30+ | $0.2002 | $ 6.0060 |
| 100+ | $0.1829 | $ 18.2900 |
| 500+ | $0.1750 | $ 87.5000 |
| 1000+ | $0.1703 | $ 170.3000 |
