| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IRF640 |
| EBEE部品番号 | E817702911 |
| パッケージ | TO-220-3L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 200V 18A 0.125Ω@10V,11A 2W 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3505 | $ 0.3505 |
| 10+ | $0.2737 | $ 2.7370 |
| 50+ | $0.2506 | $ 12.5300 |
| 100+ | $0.2091 | $ 20.9100 |
| 500+ | $0.1906 | $ 95.3000 |
| 1000+ | $0.1799 | $ 179.9000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | GOODWORK IRF640 | |
| RoHS | ||
| タイプ | - | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | 180mΩ@10V | |
| 動作温度 - | - | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 120pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 400pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3505 | $ 0.3505 |
| 10+ | $0.2737 | $ 2.7370 |
| 50+ | $0.2506 | $ 12.5300 |
| 100+ | $0.2091 | $ 20.9100 |
| 500+ | $0.1906 | $ 95.3000 |
| 1000+ | $0.1799 | $ 179.9000 |
