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| メーカー | |
| メーカー部品番号 | 65N06 |
| EBEE部品番号 | E822399518 |
| パッケージ | TO-220 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-220 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2860 | $ 1.4300 |
| 50+ | $0.2245 | $ 11.2250 |
| 150+ | $0.1982 | $ 29.7300 |
| 500+ | $0.1654 | $ 82.7000 |
| 2500+ | $0.1508 | $ 377.0000 |
| 5000+ | $0.1420 | $ 710.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | GOODWORK 65N06 | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 16mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 90pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 120W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 300pF | |
| Gate Charge(Qg) | 30nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2860 | $ 1.4300 |
| 50+ | $0.2245 | $ 11.2250 |
| 150+ | $0.1982 | $ 29.7300 |
| 500+ | $0.1654 | $ 82.7000 |
| 2500+ | $0.1508 | $ 377.0000 |
| 5000+ | $0.1420 | $ 710.0000 |
