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GOODWORK 4N65
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | 4N65 |
| EBEE部品番号 | E82962211 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 650V 4A 2.4Ω@10V,2A 33W 4V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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2435 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0927 | $ 0.4635 |
| 50+ | $0.0807 | $ 4.0350 |
| 150+ | $0.0756 | $ 11.3400 |
| 500+ | $0.0692 | $ 34.6000 |
| 2500+ | $0.0622 | $ 155.5000 |
| 5000+ | $0.0605 | $ 302.5000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | GOODWORK 4N65 | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 2.4Ω@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 11pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 33W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 670pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 90pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@10V |
ショッピングガイド
展開
2435 Stock for Shipping Fast
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0927 | $ 0.4635 |
| 50+ | $0.0807 | $ 4.0350 |
| 150+ | $0.0756 | $ 11.3400 |
| 500+ | $0.0692 | $ 34.6000 |
| 2500+ | $0.0622 | $ 155.5000 |
| 5000+ | $0.0605 | $ 302.5000 |
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