10% off
Recommonended For You
- ホーム /
- 商品 /
- トランジスタ/スズリ /
- MOSFET /
- FUXINSEMI FDN337N
画像は参考のみです
お気に入りに追加
FUXINSEMI FDN337N
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | FDN337N |
| EBEE部品番号 | E82984752 |
| パッケージ | SOT-23 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 30V 2.2A 65mΩ@4.5V,2.2A 500mW 1.3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
もっと見る >>260 在庫あり 即時出荷可能
260 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0482 | $ 0.4820 |
| 100+ | $0.0394 | $ 3.9400 |
| 300+ | $0.0351 | $ 10.5300 |
| 3000+ | $0.0266 | $ 79.8000 |
| 6000+ | $0.0240 | $ 144.0000 |
| 9000+ | $0.0227 | $ 204.3000 |
数量が多い場合の最良価格？
$
おすすめ
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | FUXINSEMI FDN337N | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 65mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 300pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
ショッピングガイド
展開
260 Stock for Shipping Fast
260 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0482 | $ 0.4820 |
| 100+ | $0.0394 | $ 3.9400 |
| 300+ | $0.0351 | $ 10.5300 |
| 3000+ | $0.0266 | $ 79.8000 |
| 6000+ | $0.0240 | $ 144.0000 |
| 9000+ | $0.0227 | $ 204.3000 |
数量が多い場合の最良価格？
$
