| メーカー | |
| メーカー部品番号 | F4C20120A |
| EBEE部品番号 | E8784612 |
| パッケージ | TO-220-2 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 1.2kV 1.5V@20A Independent Type 54.5A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5333 | $ 2.5333 |
| 10+ | $2.2224 | $ 22.2240 |
| 50+ | $2.0288 | $ 101.4400 |
| 100+ | $1.8290 | $ 182.9000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,SiCダイオード | |
| データシート | FUXINSEMI F4C20120A | |
| RoHS | ||
| 逆の漏出流れ(Ir) | [email protected] | |
| ダイオード構成 | Independent | |
| 電圧 - DC 逆(Vr)(最大) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@20A | |
| Current - Rectified | 54.5A |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5333 | $ 2.5333 |
| 10+ | $2.2224 | $ 22.2240 |
| 50+ | $2.0288 | $ 101.4400 |
| 100+ | $1.8290 | $ 182.9000 |
