| メーカー | |
| メーカー部品番号 | BRD15N10 |
| EBEE部品番号 | E8358390 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 100V 15A 80mΩ@10V 39W 2.2V@250uA 1 N-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1340 | $ 0.6700 |
| 50+ | $0.1160 | $ 5.8000 |
| 150+ | $0.1083 | $ 16.2450 |
| 500+ | $0.0986 | $ 49.3000 |
| 2500+ | $0.0943 | $ 235.7500 |
| 5000+ | $0.0917 | $ 458.5000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Foshan Blue Rocket Elec BRD15N10 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 90mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 35pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 39W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.12nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 57pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.8nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1340 | $ 0.6700 |
| 50+ | $0.1160 | $ 5.8000 |
| 150+ | $0.1083 | $ 16.2450 |
| 500+ | $0.0986 | $ 49.3000 |
| 2500+ | $0.0943 | $ 235.7500 |
| 5000+ | $0.0917 | $ 458.5000 |
