| メーカー | |
| メーカー部品番号 | EV-IRFR120N-T1 |
| EBEE部品番号 | E841433131 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 100V 9.4A 210mΩ@10V,5.6A 1.5W 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1764 | $ 0.8820 |
| 50+ | $0.1432 | $ 7.1600 |
| 150+ | $0.1289 | $ 19.3350 |
| 500+ | $0.1112 | $ 55.6000 |
| 2500+ | $0.1033 | $ 258.2500 |
| 5000+ | $0.0984 | $ 492.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | EVVO EV-IRFR120N-T1 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+175℃ | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 100V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 9.4A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 210mΩ@10V,5.6A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 1.5W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 54pF | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 330pF | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 25nC |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1764 | $ 0.8820 |
| 50+ | $0.1432 | $ 7.1600 |
| 150+ | $0.1289 | $ 19.3350 |
| 500+ | $0.1112 | $ 55.6000 |
| 2500+ | $0.1033 | $ 258.2500 |
| 5000+ | $0.0984 | $ 492.0000 |
