| メーカー | |
| メーカー部品番号 | DOU90N02 |
| EBEE部品番号 | E842412131 |
| パッケージ | TO-251 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-251 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1076 | $ 0.5380 |
| 50+ | $0.0850 | $ 4.2500 |
| 150+ | $0.0738 | $ 11.0700 |
| 525+ | $0.0653 | $ 34.2825 |
| 2475+ | $0.0586 | $ 145.0350 |
| 5025+ | $0.0552 | $ 277.3800 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | DOINGTER DOU90N02 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 2.8mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 136pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 850mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 90A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.915nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 410pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1076 | $ 0.5380 |
| 50+ | $0.0850 | $ 4.2500 |
| 150+ | $0.0738 | $ 11.0700 |
| 525+ | $0.0653 | $ 34.2825 |
| 2475+ | $0.0586 | $ 145.0350 |
| 5025+ | $0.0552 | $ 277.3800 |
