| メーカー | |
| メーカー部品番号 | DOU50N06 |
| EBEE部品番号 | E842412134 |
| パッケージ | TO-251 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-251 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1051 | $ 0.5255 |
| 50+ | $0.0826 | $ 4.1300 |
| 150+ | $0.0713 | $ 10.6950 |
| 525+ | $0.0628 | $ 32.9700 |
| 2475+ | $0.0561 | $ 138.8475 |
| 5025+ | $0.0527 | $ 264.8175 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | DOINGTER DOU50N06 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 11mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 120pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.928nF | |
| Gate Charge(Qg) | 47nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1051 | $ 0.5255 |
| 50+ | $0.0826 | $ 4.1300 |
| 150+ | $0.0713 | $ 10.6950 |
| 525+ | $0.0628 | $ 32.9700 |
| 2475+ | $0.0561 | $ 138.8475 |
| 5025+ | $0.0527 | $ 264.8175 |
