| メーカー | |
| メーカー部品番号 | DOU10N06 |
| EBEE部品番号 | E842412133 |
| パッケージ | TO-251 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-251 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 15+ | $0.0623 | $ 0.9345 |
| 150+ | $0.0492 | $ 7.3800 |
| 450+ | $0.0427 | $ 19.2150 |
| 1500+ | $0.0378 | $ 56.7000 |
| 7500+ | $0.0339 | $ 254.2500 |
| 15000+ | $0.0320 | $ 480.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | DOINGTER DOU10N06 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 60mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 30pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 25W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 725pF | |
| Gate Charge(Qg) | 9.3nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 15+ | $0.0623 | $ 0.9345 |
| 150+ | $0.0492 | $ 7.3800 |
| 450+ | $0.0427 | $ 19.2150 |
| 1500+ | $0.0378 | $ 56.7000 |
| 7500+ | $0.0339 | $ 254.2500 |
| 15000+ | $0.0320 | $ 480.0000 |
