| メーカー | |
| メーカー部品番号 | DOS6N06 |
| EBEE部品番号 | E842386221 |
| パッケージ | SOP-8 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | SOP-8 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0461 | $ 0.4610 |
| 100+ | $0.0365 | $ 3.6500 |
| 300+ | $0.0317 | $ 9.5100 |
| 3000+ | $0.0280 | $ 84.0000 |
| 6000+ | $0.0252 | $ 151.2000 |
| 9000+ | $0.0237 | $ 213.3000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | DOINGTER DOS6N06 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | 36mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 45pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 60pF | |
| Gate Charge(Qg) | 19nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0461 | $ 0.4610 |
| 100+ | $0.0365 | $ 3.6500 |
| 300+ | $0.0317 | $ 9.5100 |
| 3000+ | $0.0280 | $ 84.0000 |
| 6000+ | $0.0252 | $ 151.2000 |
| 9000+ | $0.0237 | $ 213.3000 |
