| メーカー | |
| メーカー部品番号 | DOS11DN02 |
| EBEE部品番号 | E842386224 |
| パッケージ | SOP-8D |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | SOP-8D MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0661 | $ 0.6610 |
| 100+ | $0.0522 | $ 5.2200 |
| 300+ | $0.0453 | $ 13.5900 |
| 3000+ | $0.0401 | $ 120.3000 |
| 6000+ | $0.0360 | $ 216.0000 |
| 9000+ | $0.0339 | $ 305.1000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | DOINGTER DOS11DN02 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | 10mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 155pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.25W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.45nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 230pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0661 | $ 0.6610 |
| 100+ | $0.0522 | $ 5.2200 |
| 300+ | $0.0453 | $ 13.5900 |
| 3000+ | $0.0401 | $ 120.3000 |
| 6000+ | $0.0360 | $ 216.0000 |
| 9000+ | $0.0339 | $ 305.1000 |
