| メーカー | |
| メーカー部品番号 | DOD70N07 |
| EBEE部品番号 | E841416028 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 70V 70A 116W 8.6mΩ@10V,30A 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1757 | $ 0.8785 |
| 50+ | $0.1392 | $ 6.9600 |
| 150+ | $0.1236 | $ 18.5400 |
| 500+ | $0.1040 | $ 52.0000 |
| 2500+ | $0.0953 | $ 238.2500 |
| 5000+ | $0.0901 | $ 450.5000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | DOINGTER DOD70N07 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 8.6mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 225pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 116W | |
| Drain to Source Voltage | 70V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4nF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1757 | $ 0.8785 |
| 50+ | $0.1392 | $ 6.9600 |
| 150+ | $0.1236 | $ 18.5400 |
| 500+ | $0.1040 | $ 52.0000 |
| 2500+ | $0.0953 | $ 238.2500 |
| 5000+ | $0.0901 | $ 450.5000 |
