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DOINGTER DOD639B
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | DOD639B |
| EBEE部品番号 | E842412129 |
| パッケージ | TO-252-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-252-4 MOSFETs ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
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2435 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2581 | $ 1.2905 |
| 50+ | $0.2026 | $ 10.1300 |
| 150+ | $0.1789 | $ 26.8350 |
| 500+ | $0.1493 | $ 74.6500 |
| 2500+ | $0.1361 | $ 340.2500 |
| 5000+ | $0.1282 | $ 641.0000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | DOINGTER DOD639B | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel + P-Channel | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | 4.2mΩ@10V;10.2mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 148pF;225pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 55W | |
| Drain to Source Voltage | 40V;40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V;2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A;38A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.38nF;3.119nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 230pF;237pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected];41nC@10V |
ショッピングガイド
展開
2435 Stock for Shipping Fast
2435 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2581 | $ 1.2905 |
| 50+ | $0.2026 | $ 10.1300 |
| 150+ | $0.1789 | $ 26.8350 |
| 500+ | $0.1493 | $ 74.6500 |
| 2500+ | $0.1361 | $ 340.2500 |
| 5000+ | $0.1282 | $ 641.0000 |
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