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DOINGTER DOD629C
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | DOD629C |
| EBEE部品番号 | E842412127 |
| パッケージ | TO-252-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-252-4 MOSFETs ROHS |
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15 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1640 | $ 0.8200 |
| 50+ | $0.1301 | $ 6.5050 |
| 150+ | $0.1156 | $ 17.3400 |
| 500+ | $0.0974 | $ 48.7000 |
| 2500+ | $0.0893 | $ 223.2500 |
| 5000+ | $0.0845 | $ 422.5000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | DOINGTER DOD629C | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel + P-Channel | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | 10mΩ@10V;14mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 131pF;135pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 40W;45W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V;1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 28A;35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.396nF;1.43nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 210pF;150pF | |
| Gate Charge(Qg) | 25.2nC@10V;[email protected] |
ショッピングガイド
展開
15 Stock for Shipping Fast
15 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1640 | $ 0.8200 |
| 50+ | $0.1301 | $ 6.5050 |
| 150+ | $0.1156 | $ 17.3400 |
| 500+ | $0.0974 | $ 48.7000 |
| 2500+ | $0.0893 | $ 223.2500 |
| 5000+ | $0.0845 | $ 422.5000 |
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