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DOINGTER DOD619B


メーカー
メーカー部品番号
DOD619B
EBEE部品番号
E842412128
パッケージ
TO-252-4
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
-
説明
TO-252-4 MOSFETs ROHS
この材料はカスタムケーブルをサポートしています!
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2380 在庫あり 即時出荷可能
2380 即時出荷可能
1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
5+$0.1300$ 0.6500
50+$0.1028$ 5.1400
150+$0.0892$ 13.3800
500+$0.0790$ 39.5000
2500+$0.0708$ 177.0000
5000+$0.0667$ 333.5000
数量が多い場合の最良価格?
$
タイプ説明
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カテゴリDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
データシートDOINGTER DOD619B
RoHS
タイプN-Channel + P-Channel
設定-
RDS(オン)14mΩ@10V;20mΩ@10V
動作温度 --55℃~+150℃
逆移動容量(Crss@Vds)67.5pF
Number1 N-Channel + 1 P-Channel
Pd - Power Dissipation40W
Drain to Source Voltage40V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.5V;2V
Current - Continuous Drain(Id)25A
Ciss-Input Capacitance979pF
Output Capacitance(Coss)-
Gate Charge(Qg)10nC@8V;[email protected]

ショッピングガイド

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