| メーカー | |
| メーカー部品番号 | DOD617S |
| EBEE部品番号 | E842412125 |
| パッケージ | TO-252-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-252-4 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1193 | $ 0.5965 |
| 50+ | $0.0943 | $ 4.7150 |
| 150+ | $0.0818 | $ 12.2700 |
| 500+ | $0.0725 | $ 36.2500 |
| 2500+ | $0.0650 | $ 162.5000 |
| 5000+ | $0.0612 | $ 306.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | DOINGTER DOD617S | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel + P-Channel | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | 7.5mΩ@10V;19mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 95pF;130pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 22W;23W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V;1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A;22A | |
| Ciss-Input Capacitance | 890pF;1.05nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 119pF;140pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected];50nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1193 | $ 0.5965 |
| 50+ | $0.0943 | $ 4.7150 |
| 150+ | $0.0818 | $ 12.2700 |
| 500+ | $0.0725 | $ 36.2500 |
| 2500+ | $0.0650 | $ 162.5000 |
| 5000+ | $0.0612 | $ 306.0000 |
