| メーカー | |
| メーカー部品番号 | DOD609D |
| EBEE部品番号 | E842412126 |
| パッケージ | TO-252-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-252-4 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1131 | $ 0.5655 |
| 50+ | $0.0894 | $ 4.4700 |
| 150+ | $0.0776 | $ 11.6400 |
| 500+ | $0.0687 | $ 34.3500 |
| 2500+ | $0.0616 | $ 154.0000 |
| 5000+ | $0.0580 | $ 290.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | DOINGTER DOD609D | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel + P-Channel | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | 17mΩ@10V;40mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 55pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 28W;20W | |
| Drain to Source Voltage | 40V;40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A;12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 620pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 65pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC@8V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1131 | $ 0.5655 |
| 50+ | $0.0894 | $ 4.4700 |
| 150+ | $0.0776 | $ 11.6400 |
| 500+ | $0.0687 | $ 34.3500 |
| 2500+ | $0.0616 | $ 154.0000 |
| 5000+ | $0.0580 | $ 290.0000 |
