| メーカー | |
| メーカー部品番号 | DOD6050 |
| EBEE部品番号 | E841430592 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 60V 50A 15mΩ@10V,30A 75W 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1033 | $ 0.5165 |
| 50+ | $0.0821 | $ 4.1050 |
| 150+ | $0.0716 | $ 10.7400 |
| 500+ | $0.0637 | $ 31.8500 |
| 2500+ | $0.0560 | $ 140.0000 |
| 5000+ | $0.0528 | $ 264.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | DOINGTER DOD6050 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 15mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 120pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.928nF | |
| Gate Charge(Qg) | 47nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1033 | $ 0.5165 |
| 50+ | $0.0821 | $ 4.1050 |
| 150+ | $0.0716 | $ 10.7400 |
| 500+ | $0.0637 | $ 31.8500 |
| 2500+ | $0.0560 | $ 140.0000 |
| 5000+ | $0.0528 | $ 264.0000 |
