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DOINGTER DOD603
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | DOD603 |
| EBEE部品番号 | E842412130 |
| パッケージ | TO-252-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-252-4 MOSFETs ROHS |
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65 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1554 | $ 0.7770 |
| 50+ | $0.1220 | $ 6.1000 |
| 150+ | $0.1077 | $ 16.1550 |
| 500+ | $0.0899 | $ 44.9500 |
| 2500+ | $0.0819 | $ 204.7500 |
| 5000+ | $0.0772 | $ 386.0000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | DOINGTER DOD603 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel + P-Channel | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | 26mΩ@10V;80mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 45pF;75pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 23W;23W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V;1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 16A;18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1nF;1.6nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 52pF;90pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20.3nC@10V;37.6nC@10V |
ショッピングガイド
展開
65 Stock for Shipping Fast
65 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1554 | $ 0.7770 |
| 50+ | $0.1220 | $ 6.1000 |
| 150+ | $0.1077 | $ 16.1550 |
| 500+ | $0.0899 | $ 44.9500 |
| 2500+ | $0.0819 | $ 204.7500 |
| 5000+ | $0.0772 | $ 386.0000 |
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