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DOINGTER DOD20P10
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | DOD20P10 |
| EBEE部品番号 | E842412123 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-252 MOSFETs ROHS |
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もっと見る >>1895 在庫あり 即時出荷可能
1895 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1882 | $ 0.9410 |
| 50+ | $0.1506 | $ 7.5300 |
| 150+ | $0.1345 | $ 20.1750 |
| 500+ | $0.1143 | $ 57.1500 |
| 2500+ | $0.1054 | $ 263.5000 |
| 5000+ | $0.1000 | $ 500.0000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | DOINGTER DOD20P10 | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| RDS(オン) | 80mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 92pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 66W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.077nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 119pF | |
| Gate Charge(Qg) | 52nC@10V |
ショッピングガイド
展開
1895 Stock for Shipping Fast
1895 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1882 | $ 0.9410 |
| 50+ | $0.1506 | $ 7.5300 |
| 150+ | $0.1345 | $ 20.1750 |
| 500+ | $0.1143 | $ 57.1500 |
| 2500+ | $0.1054 | $ 263.5000 |
| 5000+ | $0.1000 | $ 500.0000 |
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