| メーカー | |
| メーカー部品番号 | DO5N10BA |
| EBEE部品番号 | E841367401 |
| パッケージ | SOT-23-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 100V 5A 3.5W 120mΩ@10V,2A 2.5V@250uA 1 N-channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0375 | $ 0.7500 |
| 200+ | $0.0292 | $ 5.8400 |
| 600+ | $0.0246 | $ 14.7600 |
| 3000+ | $0.0218 | $ 65.4000 |
| 9000+ | $0.0195 | $ 175.5000 |
| 21000+ | $0.0182 | $ 382.2000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | DOINGTER DO5N10BA | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 130mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 31pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.5W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 840pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 45pF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0375 | $ 0.7500 |
| 200+ | $0.0292 | $ 5.8400 |
| 600+ | $0.0246 | $ 14.7600 |
| 3000+ | $0.0218 | $ 65.4000 |
| 9000+ | $0.0195 | $ 175.5000 |
| 21000+ | $0.0182 | $ 382.2000 |
