| メーカー | |
| メーカー部品番号 | DO3407B |
| EBEE部品番号 | E841384538 |
| パッケージ | SOT-23 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 30V 4.1A 1.3W 55mΩ@10V,4A 1.5V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0240 | $ 0.4800 |
| 200+ | $0.0187 | $ 3.7400 |
| 600+ | $0.0158 | $ 9.4800 |
| 3000+ | $0.0140 | $ 42.0000 |
| 9000+ | $0.0125 | $ 112.5000 |
| 21000+ | $0.0117 | $ 245.7000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | DOINGTER DO3407B | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| RDS(オン) | 55mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 58pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.3W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 575pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 65pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.5nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0240 | $ 0.4800 |
| 200+ | $0.0187 | $ 3.7400 |
| 600+ | $0.0158 | $ 9.4800 |
| 3000+ | $0.0140 | $ 42.0000 |
| 9000+ | $0.0125 | $ 112.5000 |
| 21000+ | $0.0117 | $ 245.7000 |
