| メーカー | |
| メーカー部品番号 | DC010PG-B |
| EBEE部品番号 | E841367279 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 30V 50A 10mΩ@10V,20A 75W 1.6V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1114 | $ 0.5570 |
| 50+ | $0.0870 | $ 4.3500 |
| 150+ | $0.0748 | $ 11.2200 |
| 500+ | $0.0657 | $ 32.8500 |
| 2500+ | $0.0583 | $ 145.7500 |
| 5000+ | $0.0547 | $ 273.5000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | DOINGTER DC010PG-B | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| RDS(オン) | 10mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 285pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.75nF | |
| Gate Charge(Qg) | 24nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1114 | $ 0.5570 |
| 50+ | $0.0870 | $ 4.3500 |
| 150+ | $0.0748 | $ 11.2200 |
| 500+ | $0.0657 | $ 32.8500 |
| 2500+ | $0.0583 | $ 145.7500 |
| 5000+ | $0.0547 | $ 273.5000 |
