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ANHI ASW65R110E
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | ASW65R110E |
| EBEE部品番号 | E85440019 |
| パッケージ | TO-247 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 655V 30A 277.8W 110mΩ 4.2V@250uA 1 N-channel TO-247-3L MOSFETs ROHS |
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15 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8220 | $ 1.8220 |
| 10+ | $1.5976 | $ 15.9760 |
| 25+ | $1.4583 | $ 36.4575 |
| 100+ | $1.3406 | $ 134.0600 |
| 500+ | $1.2632 | $ 631.6000 |
| 1000+ | $1.2292 | $ 1229.2000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | ANHI ASW65R110E | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 110mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+100℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 6.75pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 277.8W | |
| Drain to Source Voltage | 655V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.497nF | |
| Gate Charge(Qg) | 52nC |
ショッピングガイド
展開
15 Stock for Shipping Fast
15 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8220 | $ 1.8220 |
| 10+ | $1.5976 | $ 15.9760 |
| 25+ | $1.4583 | $ 36.4575 |
| 100+ | $1.3406 | $ 134.0600 |
| 500+ | $1.2632 | $ 631.6000 |
| 1000+ | $1.2292 | $ 1229.2000 |
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