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ANHI ASU65R1K4E
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | ASU65R1K4E |
| EBEE部品番号 | E819192892 |
| パッケージ | TO-251 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 655V 4A 28W 1.24Ω 3.5V 1 N-channel TO-251 MOSFETs ROHS |
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1100 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2326 | $ 1.1630 |
| 50+ | $0.2031 | $ 10.1550 |
| 150+ | $0.1905 | $ 28.5750 |
| 525+ | $0.1747 | $ 91.7175 |
| 2475+ | $0.1677 | $ 415.0575 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | ANHI ASU65R1K4E | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 1.4Ω@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 4.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 28W | |
| Drain to Source Voltage | 655V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 238pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.76nC |
ショッピングガイド
展開
1100 Stock for Shipping Fast
1100 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2326 | $ 1.1630 |
| 50+ | $0.2031 | $ 10.1550 |
| 150+ | $0.1905 | $ 28.5750 |
| 525+ | $0.1747 | $ 91.7175 |
| 2475+ | $0.1677 | $ 415.0575 |
| 4950+ | $0.1635 | $ 809.3250 |
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