| メーカー | |
| メーカー部品番号 | ASM60R330E |
| EBEE部品番号 | E85440039 |
| パッケージ | DFN8x8 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 650V 11A 330mΩ 176W 2.8V@250uA 1 N-channel DFN8x8 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8437 | $ 0.8437 |
| 10+ | $0.7201 | $ 7.2010 |
| 30+ | $0.6521 | $ 19.5630 |
| 100+ | $0.5872 | $ 58.7200 |
| 500+ | $0.5470 | $ 273.5000 |
| 1000+ | $0.5285 | $ 528.5000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | ANHI ASM60R330E | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 330mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 6.4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 176W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.082nF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8437 | $ 0.8437 |
| 10+ | $0.7201 | $ 7.2010 |
| 30+ | $0.6521 | $ 19.5630 |
| 100+ | $0.5872 | $ 58.7200 |
| 500+ | $0.5470 | $ 273.5000 |
| 1000+ | $0.5285 | $ 528.5000 |
