| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | D4N65 |
| Codice Parte EBEE | E817179518 |
| Confezione | TO-252B |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 650V 4A 2.4Ω@10V,2A 75W 3V@250uA 1 N-channel TO-252B MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1206 | $ 0.6030 |
| 50+ | $0.1180 | $ 5.9000 |
| 150+ | $0.1162 | $ 17.4300 |
| 500+ | $0.1143 | $ 57.1500 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | WXDH D4N65 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| La configurazione | - | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 650V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 4A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.4Ω@10V,2A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 75W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 3.5pF@25V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 610pF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 14.5nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1206 | $ 0.6030 |
| 50+ | $0.1180 | $ 5.9000 |
| 150+ | $0.1162 | $ 17.4300 |
| 500+ | $0.1143 | $ 57.1500 |
