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GOFORD G12P10KE-B
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | G12P10KE-B |
| Codice Parte EBEE | E822362828 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | None |
| Descrizione | TO-252 MOSFETs ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | GOFORD G12P10KE-B | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 350mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 41pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 44.6W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.652nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 42pF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC@10V |
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