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Wuxi NCE Power Semiconductor NCE30P12S


Produttore
Codice Parte Mfr.
NCE30P12S
Codice Parte EBEE
E8167515
Confezione
SOIC-8
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
Descrizione
30V 12A 25mΩ@4.5V,7A 3W 1.5V@250uA 1 Piece P-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS
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10+$0.1927$ 1.9270
100+$0.1519$ 15.1900
300+$0.1293$ 38.7900
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5000+$0.1040$ 520.0000
8000+$0.0976$ 780.8000
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaTransistor / I trasori ,I MOSFET
Scheda TecnicaWuxi NCE Power Semiconductor NCE30P12S
RoHS
Temperatura di funzionamento-55℃~+150℃
Tipo di tipo1 Piece P-Channel
Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss)30V
Corrente di scarico continuo (Id)12A
Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id)25mΩ@4.5V,7A
Dissipazione di potenza (Pd)3W
Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id)1.5V@250uA
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)180pF
Capacità di ingresso (Ciss-Vds)1.75nF@15V
Carica totale del cancello (Qg-Vgs)24nC

Guida all’acquisto

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