Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti

Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS7N65FA9R


Produttore
Codice Parte Mfr.
CS7N65FA9R
Codice Parte EBEE
E8140750
Confezione
TO-220F
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
650V 7A 35W 1.2Ω@10V,3.5A 2V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>
1 In Magazzino per Consegna Rapida
1 disponibile per consegna immediata
Può essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$0.3868$ 0.3868
10+$0.3002$ 3.0020
50+$0.2646$ 13.2300
100+$0.2182$ 21.8200
500+$0.1981$ 99.0500
1000+$0.1857$ 185.7000
2000+$0.1826$ 365.2000
4000+$0.1811$ 724.4000
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaTransistor / I trasori ,I MOSFET
Scheda TecnicaWuxi China Resources Huajing Microelectronics CS7N65FA9R
RoHS
Tipo di tipoN-Channel
RDS (on)1.4Ω@10V
Temperatura di funzionamento --55℃~+150℃
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)5.5pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation35W
Drain to Source Voltage650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)7A
Ciss-Input Capacitance1.13nF
Output Capacitance(Coss)93pF
Gate Charge(Qg)24nC@10V

Guida all’acquisto

Espandi